内存时序对应参数

一般数字“A-B-C-D"分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS"。主要内存的四个主要时序参数： CL : CAS Latency Control “内存读写作前列地址控器的潜伏时间"，同频率下，CL值越小内存条性能越好，从DDR1-4 CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。tRCD : RAS to CAS Delay“行寻址到列寻址延迟时间"，tRCD值对内存内存四个时序分别是CL、tRCD、tRP、tRAS。内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，这四个代号全是缩写。第一个CL即CAS

手把手带你了解内存的参数(容量通道频率时序) 有问题咨询或购买需求的伙伴可以私信我们哦~ 公社将会为各位咨询的小伙伴解答的~~ 公社某宝店：科技宅公社公社公众号：科技宅公社小马微信号：AaronHuai 公社一群：234885306内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，可通过参数手动设置，数字“A-B-C-D"分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS"。

内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28"分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS"， CAS 说起内存参数，大家肯定多知道容量、频率，甚至是电压、颗粒来源等，但和频率一样决定了内存性能高低的时序（也常说延迟），却往往容易忽。今天，