一般数字“A-B-C-D"分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS"。主要内存的四个主要时序参数: CL : CAS Latency Control “内存读写作前列地址控器的潜伏时间",同频率下,CL值越小内存条性能越好,从DDR1-4 CL值越来越大,相反说明CL越大,能上去的频率越高。tRCD : RAS to CAS Delay“行寻址到列寻址延迟时间",tRCD值对内存内存四个时序分别是CL、tRCD、tRP、tRAS。内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,这四个代号全是缩写。第一个CL即CAS
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内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28"分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS", CAS 说起内存参数,大家肯定多知道容量、频率,甚至是电压、颗粒来源等,但和频率一样决定了内存性能高低的时序(也常说延迟),却往往容易忽。今天,